2026年9月18日
路透引述知情人士透露，中國芯片製造商長鑫存儲(688825.SH)正準備進軍由三星電子和其他外國競爭對手主導的蓬勃發展的閃存芯片市場，此舉將在全球內存短缺的背景下擴大其客戶群。
此舉還將使這家動態隨機存取記憶體(DRAM)芯片業者與國內競爭對手長江存儲展開競爭，並使其進軍半導體行業增長最快的細分領域之一。
報道引述消息人士透露，長鑫存儲計劃在其北京新工廠建立一條NAND閃存的研發生產線。該公司還在中國首都設立了一家研究所，相關項目包括NAND閃存的研發。
知情人士表示，長鑫存儲已就其NAND計劃與客戶進行討論，其中包括一家新成立的初創公司，該公司計劃採購其NAND芯片用於人工智能系統和超級計算機中。
目前尚不清楚該研發生產線何時開始投產，也不清楚長鑫存儲是否計劃從研發和試生產階段轉向大規模商業化生產。
