主要從事各類氮化鎵功率半導體產品的設計、研發及製造。

業務回顧 - 截至2025年12月31日止年度

本集團是全球唯一具備15V至1,200V全電壓譜系產品矩陣的硅基氮化鎵功率芯片企業，聚焦高壓大功率與中低壓高頻化兩大發展方向，持續優化產品性能與應用可靠性。2025年，本集團在工藝平台迭代、封裝創新、集成化開發等方面取得重大突破，新產品規模化量產進程加速，進一步拓寬氮化鎵性能邊界。

高壓產品(650V/700V/900V/1,200V)

本集團高低壓3.0工藝平台已全面進入大規模量產階段，累計推出70餘款新產品，產品良率穩定在90%以上，彰顯成熟的量產管控能力。基於新一代工藝平台，高壓產品新增50餘款型號，覆蓋650V、700V、900V及1,200V全電壓等級，已在智能家電、數據中心、汽車電子、可再生能源等領域實現量產出貨。

700V G3.0平台產品成功導入頭部手機廠商原裝充電器；集成無損電流檢測功能的「senseGaN」合封芯片已全面釋放高頻性能，導入頭部廠商i n b o x應用，2026年將規模上量。面向AI服務器的高功率需求，本集團Gen3650V大功率產品在AI HVDC關鍵客戶完成產品導入；1,200V平台產品已在新能源電池化成應用實現量產。同時，本集團正大力研發下一代高低壓4.0技術平台，旨在進一步提升器件開關速度與導通電阻，並通過工藝層數優化，在現有基礎上持續降低單顆芯片成本，為大規模市場滲透奠定堅實基礎。

中壓產品(100V/150V/200V)

在中壓領域，本集團基於第三代100V GaN工藝平台，創新推出雙面冷卻En-FCLGA封裝，開發3.3x3.3mm及5x6mm全系列產品。該系列與MOS封裝全兼容，緊湊設計適配PCB佈局友好和垂直電流路徑，雙面散熱路徑顯著提升散熱效率及系統可靠性。基於創新的VGaN技術，推出100V和120V雙向GaN系列產品，並配合自研驅動IC，全面催熟電池保護BMS生態。

100V及150V產品在音頻系統成功量產發貨；100VGaN系列已擴展至國內多家頭部機器人及關節模組客戶。面向數據中心48V電壓轉換及汽車48V系統，雙面冷卻En-FCLGA封裝100V系列產品已在AI 800VDC及48VDC多家頭部客戶導入，憑藉提升20%的功率密度和1%的效率優勢，助力數據中心邁入「兆瓦時代」。

低壓產品(15V/30V/40V)

低壓產品線持續通過高頻化實現應用小型化。30V V-GaN產品應用於過壓保護和負載開關等場景，成為替代硅MOS的更優方案；40V產品在電子煙、充電寶、筆記本等多家頭部客戶的終端產品中實現廣泛應用；車規級40V器件已投入量產，應用於汽車駕駛艙手機、筆記本充電模塊等場景。

資料來源: 英諾賽科 (02577) 全年業績公告

業務展望 - 截至2025年12月31日止年度

展望2026年，本集團將繼續完善氮化鎵在消費電子領域的佈局，不斷擴展應用場景；在數據中心、汽車電子、工業及儲能領域推動新產品規模落地，完成更多客戶導入和量產；積極深化與機器人、算力中心服務器等新應用領域客戶的技術合作，拓展應用邊界。

在產品研發方面，持續投入下一代高低壓4.0技術平台及高集成度方案的開發，豐富產品組合，滿足客戶對極致效率與功率密度的需求。在製造與供應鏈方面，計劃進一步將晶圓產能從2萬片╱月向上提升，持續優化工藝、提升良率、降本增效。在市場銷售方面，將深化與境外傳統功率芯片大廠的戰略合作，推動量產出貨，積極服務客戶定制化需求，加速氮化鎵在全球功率市場的滲透。

本集團將繼續依托技術領先力與規模化製造能力，引領全球氮化鎵功率半導體產業發展，用第三代半導體技術賦能綠色科技革命，助力全球能源轉型與可持續發展，為人類創造更智慧、更低碳的未來！

資料來源: 英諾賽科 (02577) 全年業績公告