半導體丨瑞銀:中國光刻技術十年內難媲美艾司摩爾頂尖設備

瑞銀分析師們在報告預計，中國半導體製造能力於未來10年內都可能難以取得足夠快的進展，從而開發出能夠真正替代艾司摩爾(ASML)尖端極紫外光刻(EUV)技術的方案。

瑞銀指出，從專利申請活動來看，尤其是在光源和雷射子系統領域，中國目前的技術成熟度大致相當於艾司摩爾開始大規模生產EUV設備前15年時的水平，「他們目前所處的階段似乎與艾司摩爾在2004年時相當」。

分析師們表示，考慮到中國設備在良率和產能方面與艾司摩爾可能仍存在差距，再加上監管限制，相信中國光刻設備不太可能在中國境外得到應用。

不過，瑞銀預計，中國有望在未來2至5年內具備浸沒式深紫外(DUV)光刻機的大規模量產能力。雖然浸沒式DUV不如EUV系統先進，但仍是晶片製造不可或缺的設備，利用光線將複雜精細的電路圖案轉印到矽晶圓上。

艾司摩爾是全球唯一能夠生產尖端光刻設備的企業，這類設備對於製造先進半導體至關重要，包括輝達(Nvidia)所使用的先進晶片。中國是艾司摩爾最大的市場之一，但該公司被禁止向中國出售其極紫外光刻設備。

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