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06908 宏光半導體
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基本數據

(百萬) 12/202112/202212/2023
營業額1268889
毛利26168.5
EBITDA-438-88-138
EBIT-447-101-157
股東應佔溢利-447-101-151
每股盈利-1.13-0.20-0.26
每股股息0.000.000.00
每股資產淨值1.321.141.00

主要於中國從事設計、開發、製造及銷售LED燈珠及LED照明產品。

業務回顧 - 截至2023年12月31日止年度

於二零二三年,宏光半導體在保持踏實地經營原有LED燈珠業務的同時,繼續全力佈局第三代半導體產業鏈。本年度,本集團銳意加快Ga N產能落地之步伐,於年初完成了氮化鎵外延片設備的生產調試,並達到外延片生產的條件;完成芯片產線核心設備的購入及安裝調試,芯片產線初具成形。由於第三代半導體業務仍處於投放及研發階段,本集團於本年度的收益貢獻主要來自LED燈珠業務。於本年度,國內房地產、消費電子等市場較為疲軟,本集團LED燈珠業務產業鏈亦受到波及。年內收益約為人民幣88.6百萬元,較上年度小幅增長約1.2%;但毛利降約48%至人民幣約8.53百萬元。本集團第三代半導體Ga N業務中之開始錄得收入貢獻約2.95百萬元。

由於本集團出售無形資產所得虧損等非現金流項目,公司擁有人應佔之年內虧損擴大至人民幣約150.72百萬元。

Ga N外延片研發及生產實現突破性進展全力開拓第三代半導體產業鏈

過去一年,宏光半導體的團隊竭力發展第三代半導體Ga N新業務,積極加強核心設備及各項研發和生產配套,包括提升位於中國江蘇省徐州經濟技術開發區的半導體工廠(「徐州廠房」),其面積逾7,000平方米。目前,本集團已在徐州廠房內安裝兩條用作生產包括Ga N相關產品的外延生產線,並已經完成設備安裝和生產調試,具備外延片生產條件。而早前從歐洲和日本引入的核心機器經已運抵徐州廠房,並已準備就緒製造迎合市場需要的芯片。本集團將不斷擴大產能及提升技術,積極提升工廠效率及品質控制。

此外,憑藉本集團科學家團隊的努力以及雄厚的研發實力,本集團在實現生產自家6英吋Ga N功率器件外延片的基礎上,基本完成芯片產線的安裝調試等準備工作,為不遠將來生產芯片產品做好充足的準備。Ga N芯片的製造過程複雜並涉及不同階段,而本集團能遠早於預期時間表成功製造外延片,乃本集團邁向第三代半導體供應商轉型的重要成果,為量產Ga N芯片鋪路。本集團在Ga N第三代半導體方面的研發、製造及落地的目標得以實現,並快速切入外延片生產,有信心於可見未來逐步進入收成期。

優化組織結構並引入戰略合作方為Ga N業務注入源源動力

本年度,宏光半導體子公司的組織結構進行了優化。在氮化鎵業務方面,設立深圳鎵宏半導體有限公司(「深圳鎵宏半導體」)為氮化鎵業務的中國總部,並持有江蘇鎵宏半導體有限公司(經營徐州工廠)100%的股權。通過組織優化,氮化鎵業務形成了以深圳為總部,以徐州為工廠的格局,有利於公司在高端人才招聘、研發基地、銷售基地的建設,也有利於公司更加貼近產業市場和資本機構,更加便利於氮化鎵業務市場化運行。

本年度,宏光半導體子公司深圳鎵宏半導體成功引進了戰略股東,進一步充實了在氮化鎵業務上的資金資源投入,同時通過與戰略股東在產業方面的密切合作,進一步增強了深圳鎵宏半導體Ga N芯片在下游的應用,幫助深圳鎵宏半導體更快地融入新能源、新能源汽車等產業鏈。

為進一步吸引、激勵高新技術人才,本年度,深圳鎵宏半導體實施了股份激勵計劃。通過採納股份激勵計劃,將對本集團的管理層以及高端技術人才實施長期激勵,加強本集團核心人員與公司之間的凝聚力。

資料來源: 宏光半導體 (06908) 全年業績公告

業務展望 - 截至2023年12月31日止年度

當前,中國經濟正處於新一輪產業轉型的關鍵期,半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電等領域都有廣泛應用。隨著5 G及人工智能等技術崛起,以Ga N等為代表的第三代半導體研發及應用也被納進國家戰略規劃中。根據市場分析公司Yole D veloppment的預測,隨著綠色能源發電、電動汽車、充電樁和儲能的需求不斷增加,Ga N功率器件市場將從二零二零年的4,600萬美元預計增長至二零二六年的11億美元,平均複合年增長率達

受惠於在消費電子、新能源及新能源汽車巨大的市場需求,加產業升級和過程替代的大趨勢,市場對於Ga N功率產品的需求強勁,Ga N功率市場已成為第三代半導體產業中產值上升最快的類別。當中,新能源汽車是增長主要動力—中國本地品牌佔全國電動汽車市場逾80%的份額,並在出口方面日益受到青睞,此趨勢為整個供應鏈帶來龐大商機,有見及此,國內電動汽車廠商亦加快推動第三代半導體器件在汽車領域發展。國家政策支持與需求推動下,Ga N功率產品領域可望快速發展。

本集團將繼續加大力度完善第三代半導體Ga N產業鏈,務求加快步伐研發及拓展Ga N相關產品的應用。繼成功研發Ga N外延片後,配合徐州廠房升級、生產線及機器相繼就緒,本集團之科研團隊及專家將繼續聚焦生產研究,冀能加快實現產能落地。

本集團同時將積極尋求戰略合作夥伴,秉持資源互補、雙贏合作的原則,實現其產業鏈升級。本集團將不斷增強其研發實力,引入半導體領域的優秀專家人才以加強生產研發,銳意成為集研發、製造、包裝、封測及銷售為一體的Ga N全產業鏈IDM企業。另外,本集團將穩步發展其現有LED燈珠業務,鑒於疫情影響逐步消退,預計LED燈珠業務將逐步回穩,本集團將繼續在市場物色更多專利認證,以擴充產品種類。

確保芯片行業自主可控已由中國政府逐步提升至國家重點戰略層面,加快國產替代進口組件和自主創新,為半導體板塊提供長期且強而有力的支持。在政府的利好政策驅動、廣泛的下游應用市場和國產替代機遇三重因素的鼓舞下,本集團將順勢謀變,進一步探索與發展以Ga N為其重心的第三代半導體產品及應用,繼續推進其產能落地及產品研發進度,繼續增質提效,為本公司股東創造最大價值。

資料來源: 宏光半導體 (06908) 全年業績公告

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